半導體激光器是以直接帶隙半導體材料構成的 Pn 結或 Pin 結為工作物質(zhì)的一種小型化激光器。半導體激光工作物質(zhì)有幾十種，目前已制成激光器的半導體材料有砷化鎵、砷化銦、銻化銦、硫化鎘、碲化鎘、硒化鉛、碲化鉛、鋁鎵砷、銦磷砷等。

　　半導體激光器的激勵方式主要有三種：即電注入式 、光泵式和高能電子束激勵式。絕大多數半導體激光器的激勵方式是電注入，即給 Pn 結加正向電壓，以使在結平面區域產(chǎn)生受激發(fā)射 ，也就是說(shuō)是個(gè)正向偏置的二極管 。因此半導體激光器又稱(chēng)為半導體激光二極管。對半導體來(lái)說(shuō)，由于電子是在各能帶之間進(jìn)行躍遷 ，而不是在分立的能級之間躍遷，所以躍遷能量不是個(gè)確定值， 這使得半導體激光器的輸出波長(cháng)展布在一個(gè)很寬的范圍上。它們所發(fā)出的波長(cháng)在0.3～34μm之間。其波長(cháng)范圍決定于所用材料的能帶間隙 ，最常見(jiàn)的是AlGaAs雙異質(zhì)結激光器，其輸出波長(cháng)為750～890nm。

　　半導體激光器制作技術(shù)經(jīng)歷了由擴散法到液相外延法(LPE)， 氣相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE)，MOCVD 方法(金屬有機化合物汽相淀積)，化學(xué)束外延(CBE)以及它們的各種結合型等多種工藝。

　　隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展， 半導體激光器的研究正向縱深方向推進(jìn) ，半導體激光器的性能在不斷地提高。以半導體激光器為核心的半導體光電子技術(shù)在 21 世紀的信息社會(huì )中將取得更大的進(jìn)展，發(fā)揮更大的作用。

　　北京大族天成自主研發(fā)生產(chǎn)藍光激光器，激光波長(cháng)寬廣：355nm，405nm激光器，532nm，473nm，561nm，589nm，808nm，1470nm激光器等，種類(lèi)齊全-連續-脈沖-紫外-調Q-納秒-燈泵-單頻-低噪聲-光纖耦合-窄線(xiàn)寬激光器。